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【財訊快報記者巫彩蓮報導】太極( 4934 )卡位第三代半導體材料SiC(碳化矽)，日前成立盛新材料，資本額1000萬元，太極持股64%，廣運( 6125 )持股10%，目前擁有SiC長晶設備有5台，產品進入送樣驗證階段，預計明年第一季量產，SiC成為電池、電站之外，第三個事業群。

　　第一代半導體為鍺(Ge)、矽(Si)，主要應用微電子產業、資訊產業；第二代半導體砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)，應用產業通訊產業、照明產業；第三代半導體碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)，應用高壓功率元件、高頻通訊元件。

　　SiC可分為導電(N)型、半絕緣(SI)型，導電型應用在LED、高功率電力電子元件，半絕緣主要應用通訊電子元件，N型4吋SiC晶圓每片價格約500美元、6吋1500美元，Si型4吋SiC晶圓價格為1800美元、6吋4000美元。

　　SiC所使用PVT長晶法係以在石墨坩鍋的黑盒子進行，因此無法即時觀察晶體生長狀況，必須破壞坩堝方才能取出SiC晶體，確認長晶是否成功，平均一爐7天才能長成2公分，生產速度緩慢，由於SiC具有200多種相近的晶態(Polytype)，長晶技術門檻高，必須在控制得宜環境，才能長出大尺寸、無缺陷、全區皆為同一晶態4H。